Hi Leute,

habe mit Bergstedt gemailt und ihn nach einem Leitfaden zur Klausurvorbereitung gefragt. Einen Leitfaden konnte er mir nicht geben, aber er hat Tips zum Bearbeiten der Aufgaben gegeben:

Thema Op-Verstärker, sonst. Schaltungen

Man sollte die gegebenen Werte notieren und benennen und in die Skizze die Spannungs- und Stromrichtungen einzeichnen.

Die gesuchten Parameter angeben bzw. notieren.

Lösung: Aufstellen der Gleichungen,
Dazu: Einzeichnen der Maschen, Knoten, jetzt vielleicht einen kurzen Satz, wie es zu lösen ist. Danach Rechnung, auflösen der Gleichungen nach dem gesuchten Parameter. Falls nicht ausreichend Werte gegeben sind bzw. aus Kennlinien o.ä. abgelesen werden müssen dieses tun. Evtl. sind jetzt auch Schätzungen wie x ist wesentlich kleiner als y und somit für die Lösung nicht relevant angesagt…
Falls man irgendwo stecken bleibt, sollte auf jeden Fall eine kurze Erläuterung zum Lösungsweg erfolgen, damit wenigstens für das Verständnis noch Punkte vergeben werden können. Die Aufstellung der Gleichungen der Maschen (falls benötigt) bringt i.A. auch schon Punkte.


Thema VHDL

Bei der Lösung einer VHDL-Aufgabe genau lesen, welche Abschnitte der Beschreibung zu erstellen sind. Danach am besten eine Skizze des zu realisierenden Bauteils/Schaltung anfertigen. In dieser alle Ein- und Ausgänge beschriften! Falls interne Variablen notwendig sind: Benennen! Danach evtl. eine Wertetabelle der Funktionsweise um die logischen Gleichungen zu extrahieren. Jetzt erst mit der Erstellung der VHDL-Beschreibung beginnen und anhand der Skizze und der Wertetabelle/log. Gleichungen die Beschreibung durchführen.


Thema GAL/Schaltnetze

Bei der Erstellung eines Schaltnetztes/GALs zuerst die Aufgabenstellung ganz lesen, Variablen benennen (schriftlich!), Wertetabelle wenn nicht gegeben aufstellen. Danach erstellen der KV-Diagramme, daraus die log. Gleichungen, dann die Schaltung (Terme von innen nach aussen realisieren!)erstellen bzw. die GAL-Eingabedatei beschreiben.


Zudem sollten wir mal hier im Forum eine Formelansammlung machen….

Zum Schluss noch, falls Ihr Fragen habt und die hier im Forum nicht gelöst werden können, empfehle ich euch in die Sprechstunde von Bergstedt zu gehen, der wird euch, so gut es geht, bestimmt helfen.

Also wünsche allen Studenten, die T1/T2 schreiben werden, viel Erfolg!!!!!!!

Zudem sollten wir mal hier im Forum eine Formelansammlung machen….

Da bin auch für. Sonst wohl eher niemand. Naja, ich mache einfach mal einen kleinen Anfang:

Informationsbegriff:
Informationsgehalt eines Zeichens: [img]http://mokrates.de/cgi-bin/texstring?I(a_i)%20%3D%20ld%5Cleft(%5Cfrac%7B1%7D%7Bp_i%7D%5Cright)%20%3D%20-%20%5Cld(p_i)[/img], wobei p_i für die Wahrscheinlichkeit des Auftretens des Zeichens a_i steht.

Entropie (Informationsgehalt aller Symbole): [img]http://mokrates.de/cgi-bin/texstring?H%3D%5Csum%5Climits_%7Bj%3D1%7D%5En%20p_j%20%5Ccdot%20ld%5Cleft(%5Cfrac%7B1%7D%7Bp_i%7D%5Cright)[/img]

Maximaler Informationsgehalt: [img]http://mokrates.de/cgi-bin/texstring?H_%7Bmax%7D%20%3D%20ld(n)[/img]

(n steht jeweils für die Anzahl der Symbole im Alphabet)

Schade, dass niemand Lust hat mitzumachen.

Habe auch noch ein paar kleine Ergänzungen:

Redundanz(Zeichenüberschuss):

R = L-H

Redundanz = Länge - Entropie


Zweidrahtleitung:

Impedanz Z' = R'+ jwL
Admittanz Y' = G' + jwC

Dynamisches System:

Zylindervolumen V(t)= A* X(t)
(A ist Querschnittsfläche, X(t) ist die Höhe)

Volumenänderung = Zustrom - Abstrom
-> V(t)= U(t)- Y(t) mit Y(t) = (1/R)* X(t)


Datenübertragungseffizienz:

E = (k*q^n)/n

K := Anzahl der Informationsbits pro datentelegramm
q := Wahrscheinlichkeit des Empfangs unverfälschter Bits
n := Gesamtzahl aller Bits pro Datentelegramm


So das war nun meine kleine Formelsammlung für T1….würde mich freuen, wenn jemand noch andere Formel, die für T1 oder auch für T2 relevant sind, aufschreibt……

M.A.

Formelsammlung für T2

DIODE

Umgesetzte Leistung eines elektrischen Widerstand:

P = U^2 / R

Abgegeben Leistung an die Umgebung einer Diode:

P = ΔT/RDth

Diese Leistung ist gleich der erzeugten.


Widerstand einer temperaturabhängigen Diode RD:

RD = R0D (1+α*ΔT)

Widerstand einer Diode:

ΔT/RDth = U^2 / RN

Rdth = (ΔTN * RN)/ U^2

Widerstand einer Diode mit unbekanntem Temperaturkoeffizienten:

ΔTX/RDth = U^2 / ( RN * (1+αX *ΔTX))

–> α = (1/ΔTx)*(ΔTN/ΔTX - 1)

Durchlassstrom einer Diode:

ID = IS * ((e^(U/UT))-1), wobei e die eulersche Zahl ist.

UT = k*T/e
k= 1,3805 *10^-22 Ws/K (Boltzmann Konstante)
T= 293 K(= 20°C) (absolute Temperatur)
e = 1,602*10^-19 As (Elementarladung)


Differentielle Leitwert in Durchlassrichtung:

g = dI / dU = (Is/ UT)*e^(U/UT) = (1/UT)* IS * e^(U/UT)

–> g = (1/UT)*(I+IS)