Mjam, RAM-Lernen macht irre. Anyway bin ich in Prüfungsprotokollen auf die Selbstjustage bei der Herstellung von MOS-Transistoren gestoßen. Ich weiß auch noch ganz genau, dass von der Heider das erklärt hat und ich das extrem einleuchtend fand. Danach war leider schluss und das Netz hat auch keine Infos dazu. Erinnert noch wer, was da die Sache war? Irgendwas mit den Gates aber ich wieß einfahc nicht mehr, was [img]http://www.fb18.de/gfx/16.gif[/img]

Mjam, RAM-Lernen macht irre.

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Anyway bin ich in Prüfungsprotokollen auf die Selbstjustage bei der Herstellung von MOS-Transistoren gestoßen.

Das finde ich recht gut:
http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/PhysikalischeElektronik/phys_elektr/node98.html

[…]
Die ursprüngliche Technik erfuhr im Laufe weniger Jahre zahlreiche Verbesserungen. Die wichtigste war wohl der Übergang zur `NMOS Silizium-Gate Technologie'. Dabei wird Aluminium als Material zur Gate-Kontaktierung ersetzt durch polykristallines Silizium, das durch nachträgliche Dotierung leitfähiger gemacht werden kann (`Polysilizium', durch LPCVD-Abscheidung). Dies geschieht gleichzeitig mit der Source/Drain-Implantation, d.h. man benötigt hierfür keine spezielle Maske mehr, dieser Implantationsschritt ist `selbstjustierend'.
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Und nochmal dankeschön, ja jetzt leuchtet es mir langsam wieder ein [img]http://www.fb18.de/gfx/14.gif[/img][img]http://www.fb18.de/gfx/23.gif[/img]